CI30N65SM_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:39A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）為N溝道結(jié)構(gòu)，具備39A的連續(xù)漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中高功率電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻（RDON）僅為60mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提升整體系統(tǒng)效率。基于碳化硅材料，該器件具備良好的熱導(dǎo)率和高頻開關(guān)特性，支持高效、緊湊的電源設(shè)計(jì)。適用于電源適配器、儲(chǔ)能系統(tǒng)及高效能電力電子裝置，滿足對高可靠性與高性能的復(fù)雜電力控制需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

CI30N65SM_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:39A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:39A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢