VBP112MC100_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:81A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品為N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和81A的額定漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）僅為21mΩ，確保在高功率密度應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、低損耗的開關(guān)性能。碳化硅材料的采用提升了器件的耐高溫和高頻特性，適用于如高效電源轉(zhuǎn)換器、可再生能源系統(tǒng)及智能電力調(diào)控設(shè)備等場景，支持系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高效率與更優(yōu)熱管理表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

VBP112MC100_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:81A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:81A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢