S4D02120E_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數1：IF:2A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該碳化硅二極管為獨立式器件，具備2A的連續正向電流（IF）和1200V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降（VF）典型值為1.36V。采用碳化硅材料，具有優異的高溫穩定性和高開關速度，反向恢復特性近乎理想，可顯著降低開關損耗。其高耐壓與低導通損耗的組合，適用于高效率、高頻率的電力轉換場景。常見應用于高壓直流電源、開關模式電源、光伏逆變器以及對能效和熱管理要求較高的緊湊型電力電子裝置中。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

S4D02120E_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IF:2A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管最小包裝：2500/圓盤參數1：IF:2A 參數2：VR:1200V 參數3：VF:1.36V 參數4：二極管配置:獨立式標價：歡迎咨詢