APC65R550KM_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

本款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具有650V的漏源電壓（VDSS）和6.8A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻為460mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)能效。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩(wěn)定的柵極驅(qū)動(dòng)控制。得益于碳化硅材料的寬禁帶特性，器件具備優(yōu)異的高溫工作能力、耐高壓性能及快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)。適用于高效率功率轉(zhuǎn)換電路，如大功率開(kāi)關(guān)電源、DC-DC變換器、可再生能源發(fā)電逆變裝置、儲(chǔ)能系統(tǒng)及高密度電源模塊，尤其適合對(duì)熱管理要求嚴(yán)苛、需減小無(wú)源元件體積與整體系統(tǒng)尺寸的應(yīng)用場(chǎng)景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

APC65R550KM_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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