HXY80N06NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:80A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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這是一款N溝道場效應管（MOSFET），具有60V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適合中等電壓開關應用。其連續漏極電流可達80A，導通電阻低至5.3mΩ，在高電流工作條件下能有效降低導通損耗，提升系統效率。低RDON特性有助于減少發熱，提高功率密度，適用于對能效和散熱有較高要求的電源管理場合，如直流-直流轉換、電機驅動及高密度電源模塊等場景，為高性能電路設計提供可靠的基礎元件支持。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY80N06NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:80A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:5.3mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢