HXY20P06AD_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:55mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有60V的漏源電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID），適用于中高電壓功率開關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻為55mΩ（RDON），在同類P溝道器件中具備較好的導(dǎo)通性能，有助于降低功率損耗。支持最高20V的柵源電壓（VGS），提供可靠的柵極驅(qū)動耐壓能力。由于較高的電壓額定值和較強的電流處理能力，可用于直流電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)中的反向電流保護、高端開關(guān)電路以及各類便攜式電子設(shè)備的電源管理模塊，滿足對穩(wěn)定性和效率要求較高的設(shè)計需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY20P06AD_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:55mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:55mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價：歡迎咨詢