HXY20N06ADF_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:24mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有60V漏源電壓（VDSS）、20A連續(xù)漏極電流（ID）和低至24mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），支持最高20V柵源電壓（VGS）。器件采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，具備優(yōu)異的導(dǎo)通性能與開關(guān)響應(yīng)，可有效降低功率損耗。適用于中低壓直流電源轉(zhuǎn)換、高效率同步整流、便攜式設(shè)備電源管理模塊以及大電流開關(guān)電路。其低柵極電荷與良好熱穩(wěn)定性有助于提升系統(tǒng)能效，適合在緊湊型高密度電子設(shè)備中實(shí)現(xiàn)可靠的功率控制與能量傳輸。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

HXY20N06ADF_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:24mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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