HXY4407BS_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:11A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:12.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該P溝道場效應管具有11A的連續漏極電流（ID）和-30V的漏源電壓（VDSS），適用于中低壓功率開關應用。其導通電阻（RDON）低至12.5mΩ，在20V柵源電壓（VGS）驅動下可有效降低導通損耗，提升系統能效。P溝道結構便于在高邊開關電路中實現簡潔的控制邏輯，常用于電源通路管理、電池供電設備的反向極性保護及直流負載開關設計。該器件適合集成于便攜式電子產品、嵌入式計算模塊及小型化電子系統的電源管理方案中。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY4407BS_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:11A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:12.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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