HXY4421S_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:6A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:53mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該P溝道場效應(yīng)管具備60V漏源電壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）耐受能力，連續(xù)漏極電流為6A，導(dǎo)通電阻為53mΩ。相較于低壓器件，其在較高電壓應(yīng)用中具備良好的開關(guān)性能與導(dǎo)通特性。P溝道結(jié)構(gòu)適用于高邊開關(guān)配置，可簡化驅(qū)動設(shè)計。該器件適合用于60V以下的電源管理系統(tǒng)，如電池供電設(shè)備、直流電源模塊、開關(guān)電源中的控制電路，以及各類需要穩(wěn)定功率切換的電子裝置，能夠滿足對效率與可靠性有一定要求的中功率應(yīng)用場景。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY4421S_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:6A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:53mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:6A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:53mR 參數(shù)4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢