MJD127_TO-252-2L_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：三極管(BJT) 最小包裝：2500/圓盤參數1：IC:8A 參數2：VCEO:100V 參數3：TYPE:PNP 參數4：HFE:1K-12K 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該PNP型三極管額定集電極電流（IC）為8A，集射極擊穿電壓（VCEO）達100V，具備較強的電流承載能力。直流電流增益（HFE）范圍為1000至12000，屬于高增益類型，可在微弱基極電流下實現高效電流控制，適用于精密開關與信號放大電路。器件采用大電流設計，熱穩定性較好，適合在電源調節模塊、繼電器驅動、電機控制及高增益放大電路中使用。其高HFE特性有助于簡化前級驅動設計，提升系統響應精度，滿足多種中功率模擬與數字應用需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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MJD127_TO-252-2L_三極管(BJT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：三極管(BJT) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IC:8A 參數2：VCEO:100V 參數3：TYPE:PNP 參數4：HFE:1K-12K 標價：歡迎咨詢

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