HXY20P02S_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:20A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:12mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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這是一款P溝道場效應管（MOSFET），具備20A的連續漏極電流（ID）和20V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中等功率開關與電源管理應用。其導通電阻低至12mΩ（RDON），有助于減少導通損耗，提升系統能效。器件柵源電壓（VGS）為12V，確保在標準邏輯電平下實現穩定驅動。低RDON與較高的電流承載能力使其適合用于同步整流、電池供電設備中的電源切換以及負載開關電路，滿足對空間緊湊和效率要求較高的設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY20P02S_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:12mR 參數4：VGS:12V 標價：歡迎咨詢

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