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              HXY2306I_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：SOT-23
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：3000/圓盤
                                                        參數1：ID:4A
                                                        參數2：VDSS:30V
                                                        參數3：RDON:29mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道場效應管具有30V漏源電壓（VDSS）、4A連續漏極電流（ID）及29mΩ低導通電阻，柵源電壓最大為20V，適用于中低壓功率開關應用。器件在低電壓下具備良好的導通特性與開關速度，可有效減少傳導損耗。其結構設計有助于實現快速開關響應，適用于便攜式設備電源管理、直流電機驅動、開關電源模塊及電池供電系統中的同步整流等場景。具備穩定的熱性能與柵極可靠性，適合對能效和空間利用率有要求的電路設計。
                              
              
            
              
            
              
                
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