HESDUC5VB1AF-C_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數(shù)1：IPP:4A 參數(shù)2：VRWM:5V 參數(shù)3：CJ:0.5pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該單通道雙向TVS二極管具有5V的反向工作電壓（VRWM）和4A的峰值脈沖電流（IPP）承受能力，結(jié)電容低至0.5pF，適合高速信號線路的瞬態(tài)電壓防護(hù)。雙向結(jié)構(gòu)可有效抑制正負(fù)極性浪涌脈沖，快速響應(yīng)并泄放靜電放電（ESD）及電快速瞬變能量。器件適用于對信號完整性要求較高的便攜式設(shè)備與通信接口電路，能為敏感電子元件提供可靠保護(hù)，常用于數(shù)據(jù)傳輸線、音頻接口及高密度電子系統(tǒng)中的過壓防護(hù)設(shè)計(jì)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HESDUC5VB1AF-C_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數(shù)1：IPP:4A 參數(shù)2：VRWM:5V 參數(shù)3：CJ:0.5pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數(shù)1：IPP:4A 參數(shù)2：VRWM:5V 參數(shù)3：CJ:0.5pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢