HESDNC5VB1AF-E_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數(shù)1：IPP:20A 參數(shù)2：VRWM:5V 參數(shù)3：CJ:40pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該TVS二極管為單通道雙向器件，專用于電子設(shè)備中敏感電路的瞬態(tài)電壓抑制。反向工作電壓（VRWM）為5V，可兼容常見5V供電系統(tǒng)，20A的峰值脈沖電流（IPP）能力確保其能有效泄放突發(fā)性浪涌能量。結(jié)電容為40pF，適用于對(duì)信號(hào)完整性有一定要求的中低速數(shù)據(jù)線路。雙向（Bi）結(jié)構(gòu)可同時(shí)抑制正負(fù)極性瞬態(tài)干擾，適用于USB、音頻接口、通信端口等易受靜電影響的場(chǎng)景，提供可靠的過壓保護(hù)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

HESDNC5VB1AF-E_DFN1006-2L_靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤 參數(shù)1：IPP:20A 參數(shù)2：VRWM:5V 參數(shù)3：CJ:40pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN1006-2L 類別：靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD) 最小包裝：10000/圓盤參數(shù)1：IPP:20A 參數(shù)2：VRWM:5V 參數(shù)3：CJ:40pF 參數(shù)4：LINE:1-channel 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢