HXY70N07P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:70A 參數2：VDSS:70V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

分享到

產品介紹

-------<點擊了解更多 + 購買>-------

該N溝道場效應管具備70V漏源耐壓（VDSS）和20V柵源電壓范圍（VGS），可承載70A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至7.5mΩ，有效降低導通損耗并提升能效。N溝道結構提供優良的開關特性，適用于高頻率開關電源、同步整流電路及大電流功率轉換系統。其低電阻與高電流能力使其在緊湊型電源設計中具備良好熱穩定性，適合用于高性能計算設備、便攜式電子設備的電源管理模塊以及電池驅動系統中的功率控制應用。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

<nobr id="eymp1"></nobr>

HXY70N07P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:70A 參數2：VDSS:70V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

分享到

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:70A 參數2：VDSS:70V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢