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              HXYS120N65MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-247
                                                        類別：碳化硅場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：30/管裝
                                                        參數1：ID:120A
                                                        參數2：VDSS:650V
                                                        參數3：RDON:15mR
                                                        參數4：VGS:15V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道碳化硅場效應管具有650V漏源電壓額定值，最大連續漏極電流達120A，導通電阻低至15mΩ，在15V柵源電壓下可實現充分導通。采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關能力與熱穩定性，顯著降低導通和開關損耗。其低寄生電感封裝設計有助于提升開關速度，減少電壓過沖。適用于高效率電源轉換裝置，如大功率DC-DC變換器、不間斷電源、可再生能源發電逆變系統及高密度功率因數校正電路，適合對能效、功率密度和系統可靠性有較高要求的應用場景。
                              
              
            
              
            
              
                
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