HXYS78N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:78A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：VGS:18V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅場效應管具有1200V的高漏源擊穿電壓（VDSS）和78A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至40mΩ，支持最高18V的柵源電壓（VGS）。基于碳化硅材料的特性，器件具備優異的耐壓性能和導通效率，適用于高功率密度的開關電源、直流變換器及高壓逆變電路。其快速開關特性有助于減少能量損耗，提升系統整體能效，適合在高頻、高溫等嚴苛條件下穩定運行，是高壓功率轉換應用中的關鍵元件。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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HXYS78N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:78A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：VGS:18V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:78A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：VGS:18V 標價：歡迎咨詢