HXYT50N65MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):50A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.6V 參數4：二極管正向電流(IF):50A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

該IGBT模塊額定集電極電流為50A，集射極擊穿電壓為650V，適用于中高壓功率轉換應用。其集射極飽和電壓為1.6V，在高負載條件下具備較低的導通損耗，有利于提高系統整體效率。模塊集成反并聯二極管，可承受50A正向電流，二極管正向壓降為1.85V，支持高效續流操作。器件具有良好的熱穩定性和開關特性，適用于大功率開關電源、不間斷電源系統、可再生能源逆變裝置及大電流驅動電路，能夠滿足高頻開關與高功率密度設計需求，適用于對效率與可靠性要求較高的電力電子拓撲結構。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYT50N65MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：集電極電流(Ic):50A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.6V 參數4：二極管正向電流(IF):50A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):50A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.6V 參數4：二極管正向電流(IF):50A 標價：歡迎咨詢