HXYS3N150PF_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:3.7A 參數2：VDSS:1500V 參數3：RDON:1000mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有1500V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適用于高電壓開關場景。其導通電阻（RDON）為1000mΩ，在同類器件中具備良好的導通特性。連續漏極電流（ID）可達3.7A，支持較高功率負載的穩定運行。器件結合高電壓耐受與可靠導通性能，適用于電源轉換、高壓直流控制及功率調節等電路，作為開關元件用于各類高效率、高可靠性要求的電子設備中，滿足對小型化與高性能兼顧的設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYS3N150PF_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:3.7A 參數2：VDSS:1500V 參數3：RDON:1000mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:3.7A 參數2：VDSS:1500V 參數3：RDON:1000mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢