HXYG60N06NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:40A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有60V漏源電壓（VDSS）和40A連續漏極電流（ID），在20V柵源電壓下導通電阻僅為11mΩ，具備出色的電流承載能力與低導通損耗特性。采用優化的溝槽結構設計，提升了開關速度與熱穩定性，適用于高效同步整流電路、大功率DC-DC變換器及便攜式高能設備的電源管理模塊。器件可有效減少能量損耗，提高系統轉換效率，廣泛用于通信基站電源、高端消費類電子產品供電單元及儲能系統的能量調控環節，滿足對高功率密度與長期運行可靠性的應用需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYG60N06NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:40A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:11mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢