HXYT75N120MPC_TO-247PC_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247PC 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數(shù)1：集電極電流(Ic):75A 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數(shù)3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.9V 參數(shù)4：二極管正向電流(IF):75A 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該IGBT具有1200V集射極擊穿電壓（Vces），可耐受高電壓工況，適用于高功率開關(guān)電路。其集電極電流（Ic）可達(dá)75A，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，有助于在大電流工作條件下控制導(dǎo)通損耗。集成的反并聯(lián)二極管具備75A正向電流（If）能力，正向壓降（Vf）為1.9V，支持高效續(xù)流操作。器件適用于大功率逆變、高壓直流轉(zhuǎn)換、開關(guān)電源及電機(jī)控制等應(yīng)用場景，作為關(guān)鍵功率開關(guān)元件，實現(xiàn)電能的可靠切換與高效傳輸，滿足高電壓、大電流系統(tǒng)對穩(wěn)定性和效率的設(shè)計要求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
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