HXY14N50MPS_TO-247S_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247S 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:14A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:430mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具備500V的漏源耐壓（VDSS）和20V的柵源電壓范圍（VGS），可承受持續漏極電流達14A（ID），導通電阻典型值為430mΩ。器件采用高壓設計，適用于開關電源、DC-AC逆變電路及高效率功率轉換系統。其較低的導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體能效。廣泛用于需要高電壓工作能力與穩定電流控制的電子設備中，適合在緊湊型電源模塊和高密度電路設計中實現高效開關功能。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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HXY14N50MPS_TO-247S_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247S 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:14A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:430mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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