HXYS81N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:81A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具備1200V的漏源擊穿電壓，可承受高達(dá)81A的連續(xù)漏極電流，導(dǎo)通電阻僅為21mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗。基于碳化硅材料的特性，器件具有優(yōu)異的開關(guān)性能和高溫工作能力，適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換場合。其低寄生參數(shù)設(shè)計(jì)有助于提升系統(tǒng)效率，減少散熱需求。典型應(yīng)用包括高效直流變換模塊、高壓電源系統(tǒng)及可再生能源發(fā)電中的功率調(diào)節(jié)單元，適合對能效和可靠性要求較高的電力電子設(shè)計(jì)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYS81N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:81A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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