HXY10N06S_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:28mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道場效應(yīng)管具有60V漏源擊穿電壓和28mΩ導(dǎo)通電阻，在10A連續(xù)漏極電流下具備較低的導(dǎo)通損耗。柵源額定電壓為±20V，支持穩(wěn)定的柵極驅(qū)動控制，適用于中等功率開關(guān)應(yīng)用。器件表現(xiàn)出良好的開關(guān)速度與熱性能，可用于DC-DC電源轉(zhuǎn)換、電池供電設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)以及高邊或低邊開關(guān)電路，滿足對效率和可靠性要求較高的便攜式電子系統(tǒng)和通用電源管理場景的設(shè)計(jì)需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY10N06S_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:28mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:10A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:28mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢