HXY2301BI_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:2.8A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:80mR 參數4：VGS:8V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該P溝道場效應管具有20V的漏源電壓（VDSS）和8V的柵源電壓（VGS），持續漏極電流可達2.8A，導通電阻典型值為80mΩ。低導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統效率。器件適用于直流電機驅動、電源開關及電池供電設備中的負載控制與電源管理。其20V耐壓適合中低電壓應用，8V柵壓設計便于與常見邏輯電平匹配，實現高效的開關操作。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY2301BI_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:2.8A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:80mR 參數4：VGS:8V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:2.8A 參數2：VDSS:20V 參數3：RDON:80mR 參數4：VGS:8V 標價：歡迎咨詢