HXYT75N65MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):75A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.6V 參數4：二極管正向電流(IF):75A 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該IGBT具備75A的集電極連續電流能力，可承受最高650V的集射極電壓，適用于中高功率開關場景。其導通狀態下集射極飽和電壓典型值為1.6V，配合反并聯二極管1.6V的正向壓降，有助于降低導通損耗。二極管額定正向電流為75A，與主電流匹配良好，保障續流過程穩定。該器件適用于需要高效能功率轉換的應用，如電源系統、電機驅動與逆變裝置，支持高頻開關操作，具備良好的熱穩定性與可靠性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYT75N65MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：集電極電流(Ic):75A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.6V 參數4：二極管正向電流(IF):75A 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數1：集電極電流(Ic):75A 參數2：集射極擊穿電壓(Vces):650V 參數3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.6V 參數4：二極管正向電流(IF):75A 標價：歡迎咨詢