HXY4803AS_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:5.3A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:35mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該PP溝道MOSFET采用雙N溝道設計，具備30V的漏源耐壓（VDSS）和20V柵源電壓（VGS）能力，持續漏極電流（ID）可達5.3A，導通電阻（RDON）低至35mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統效率。器件適用于中高功率開關應用，如電源管理模塊、直流電機驅動電路、便攜式設備的負載切換以及同步整流電路。其低導通電阻和適中的電流能力使其在緊湊型設計中表現出良好的熱穩定性和響應速度，適合對空間和能效有要求的嵌入式系統與電池供電裝置中的功率控制需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY4803AS_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.3A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:35mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:5.3A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:35mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢