HXYG80N10NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:80A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管具有100V漏源電壓額定值，可承載80A連續漏極電流，導通電阻低至6.4mΩ，柵源電壓最大支持20V。低RDSON顯著減少導通損耗，提升系統能效。器件具備優良的開關速度與熱穩定性，適用于高電流密度的直流-直流轉換電路。其參數特性適合用于高性能電源管理模塊、大功率適配器及儲能系統的功率控制單元。在需要高效能、低發熱與緊湊布局的電子設計中，可作為關鍵開關元件實現可靠的電力轉換功能。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYG80N10NF_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:80A 參數2：VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢