BZT52B39_SOD-123_穩(wěn)壓二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-123 類別：穩(wěn)壓二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:39V 參數(shù)3：VF:0.1V 參數(shù)4：IR:0.9uA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該穩(wěn)壓二極管具備39V的反向擊穿電壓（VR），可在該電壓下實現(xiàn)穩(wěn)定的電壓鉗位功能。其正向?qū)娏鳎↖F）可達(dá)2A，正向?qū)▔航担╒F）僅為0.1V，導(dǎo)通損耗低。在非工作狀態(tài)下，反向漏電流（IR）低至0.9μA，表現(xiàn)出良好的阻斷特性。器件的最大耗散功率（PD）為0.5W，適用于中小功率電路中的過壓保護(hù)、電壓基準(zhǔn)建立及信號電平箝位等場景，適合在高穩(wěn)定性電源管理模塊和精密電子設(shè)備中使用。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

BZT52B39_SOD-123_穩(wěn)壓二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-123 類別：穩(wěn)壓二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:39V 參數(shù)3：VF:0.1V 參數(shù)4：IR:0.9uA 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOD-123 類別：穩(wěn)壓二極管最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：IF:2A 參數(shù)2：VR:39V 參數(shù)3：VF:0.1V 參數(shù)4：IR:0.9uA 標(biāo)價：歡迎咨詢