HXYT40N120MP_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊最小包裝：30/管裝參數(shù)1：集電極電流(Ic):40A 參數(shù)2：集射極擊穿電壓(Vces):1200V 參數(shù)3：集射極飽和電壓(VCE(sat)):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流(IF):40A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該IGBT模塊具有40A的集電極連續(xù)電流能力，集射極擊穿電壓達(dá)1200V，適用于高電壓耐受需求的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)合。其集射極飽和電壓為1.7V，在額定工況下導(dǎo)通損耗較低，有助于提升系統(tǒng)能效。模塊內(nèi)置反并聯(lián)二極管，可承載40A正向電流，二極管正向壓降為1.85V，具備良好的續(xù)流性能。該器件結(jié)合了較高的電壓阻斷能力與穩(wěn)定的通態(tài)特性，適用于大功率開關(guān)電源、高壓逆變裝置、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)及大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元，能夠在高頻開關(guān)與高溫環(huán)境下提供可靠的功率控制功能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
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