HXY30P06NF_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:30A 參數(shù)2：VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:24mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

分享到

產(chǎn)品介紹

這是一款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具有60V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適合中等電壓電源管理應(yīng)用。其連續(xù)漏極電流（ID）可達(dá)30A，導(dǎo)通電阻低至24mΩ，在高電流條件下可有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。低RDON特性有助于減少發(fā)熱，提高功率轉(zhuǎn)換的穩(wěn)定性。該器件適用于開(kāi)關(guān)電源、直流負(fù)載控制、電池供電設(shè)備的電源切換以及高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng)電路，作為高效的功率開(kāi)關(guān)使用，尤其適合對(duì)導(dǎo)通損耗敏感的緊湊型電子裝置。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014