HXY7N04MI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:7A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:19mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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這是一款N溝道場效應管（MOSFET），具有40V的漏源電壓（VDSS）和20V的柵源電壓（VGS）能力，適用于中等電壓功率控制場景。其連續漏極電流（ID）為7A，導通電阻（RDON）為19mΩ，在同類器件中具備良好的導通性能，有助于降低功率損耗并提升能效。該MOSFET適合用于開關電源、DC-DC轉換電路、電機驅動模塊以及電池供電設備中的功率開關應用。憑借其穩定的電氣特性和較小的導通損耗，可在高密度電路設計中實現高效的能量傳輸與控制，滿足多種便攜式電子系統的設計需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXY7N04MI_SOT-23-3L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:7A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:19mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數1：ID:7A 參數2：VDSS:40V 參數3：RDON:19mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢