HXYS32N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:32A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅場效應管具備1200V的漏源電壓（VDSS）和32A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至75mΩ，在15V柵源電壓下可實現高效開關。采用寬禁帶半導體材料，具有優異的耐壓能力與熱穩定性。適用于高功率密度電源轉換系統，如大功率開關電源、高壓直流變換器及儲能系統的功率因數校正電路，可提升系統整體能效與工作頻率，減小無源器件體積，滿足嚴苛工況下的長期可靠運行需求。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXYS32N120MPI_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:32A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:15V 標價：歡迎咨詢