HXYS5N170PF_TO-3PF_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:1700V 參數(shù)3：RDON:800mR 參數(shù)4：VGS:22V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有5A連續(xù)漏極電流和1700V的漏源擊穿電壓，適用于高電壓隔離與功率轉(zhuǎn)換場景。其導(dǎo)通電阻為800mΩ，在高溫與高頻工作條件下仍能保持較低導(dǎo)通損耗。柵源額定電壓達(dá)±22V，具備較強(qiáng)的驅(qū)動穩(wěn)定性與抗干擾能力。得益于碳化硅材料特性，器件具有優(yōu)異的開關(guān)速度與熱性能，可應(yīng)用于高壓直流變換、高效電源模塊、可再生能源逆變裝置及緊湊型電力電子系統(tǒng)，適合對功率密度與能效要求較高的設(shè)計需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

HXYS5N170PF_TO-3PF_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:1700V 參數(shù)3：RDON:800mR 參數(shù)4：VGS:22V 標(biāo)價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:5A 參數(shù)2：VDSS:1700V 參數(shù)3：RDON:800mR 參數(shù)4：VGS:22V 標(biāo)價：歡迎咨詢