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              HXY9N20P_TO-220C_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
              
                       
                        
              
                            品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子)
                                                        封裝：TO-220C
                                                        類別：場效應管(MOSFET)
                                                        最小包裝：50/管裝
                                                        參數1：ID:9A
                                                        參數2：VDSS:200V
                                                        參數3：RDON:220mR
                                                        參數4：VGS:20V
                                                        標價：歡迎咨詢
                        
              
                        
              
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              產品介紹
              
                
              
                    
              -------<點擊了解更多 + 購買>-------
              該N溝道場效應管具有200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和9A的連續漏極電流（ID），導通電阻為220mΩ，最大柵源電壓可達20V。器件具備良好的開關特性和較高的耐壓能力，適用于中等功率的電源管理系統。其結構設計有助于降低導通損耗，提高能效，在直流電機驅動、高精度電源轉換電路及電池供電設備的功率控制模塊中表現穩定。適合在需要可靠開關動作與熱性能均衡的應用場景中使用。
                              
              
            
              
            
              
                
              企業聯系方式