HXYS81N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅場效應管具備1200V的漏源電壓（VDSS）和81A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至21mΩ，適用于高效率功率轉換設計。其采用寬禁帶半導體材料，可實現更高的開關頻率與工作溫度，同時降低開關損耗。典型應用于高壓直流變換、逆變電源、可再生能源發電系統及高密度電源模塊中，適合對熱管理與電氣性能有嚴苛要求的場景。器件兼具快速體二極管響應與優異的抗雪崩能力，有助于提升系統整體能效與可靠性。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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HXYS81N120MP_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:81A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:21mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢