CDMSJ22010-650 SL_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款N溝道碳化硅場效應管具有15A的漏極電流（ID）和650V的漏源電壓（VDSS），導通電阻為260mΩ，支持-5V至!6V的柵源電壓（VGS）范圍，確保良好的開關控制與器件可靠性。得益于碳化硅材料的高臨界電場和熱導率，該器件具備優異的耐壓性能、高頻工作能力及高溫穩定性。適用于高功率密度的電力電子系統，如高效能電源轉換裝置、可再生能源發電中的逆變設備、高壓直流變換模塊及緊湊型開關電源設計，適合對系統效率和熱管理有較高要求的應用場景。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢