IPP65R190CFDXKSA2-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

本款N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為165mΩ，有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)與負(fù)壓關(guān)斷，增強(qiáng)工作可靠性。得益于碳化硅材料的寬禁帶特性，器件具備優(yōu)異的高溫耐受性與快速開(kāi)關(guān)性能。適用于高功率密度、高頻率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如高效能電源模塊、可再生能源逆變裝置、儲(chǔ)能系統(tǒng)功率級(jí)及大功率DC-DC變換器設(shè)計(jì)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

IPP65R190CFDXKSA2-HXY_TO-220C_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:20A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:165mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)