NTP190N65S3HF-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款N溝道碳化硅MOSFET具有800V漏源電壓（VDSS）和20A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻低至165mΩ，有助于減少導通損耗并提升系統效率。柵源電壓范圍為-10V至@5V，支持穩定可靠的柵極控制。依托碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性，該器件可在高頻、高溫環境下保持優異性能。適用于高壓功率轉換應用，如高效開關電源、大功率DC-DC變換模塊、可再生能源發電系統中的逆變單元以及高密度電源適配器等場合。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢