C3D100065B_module-B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：module-B 類(lèi)別：碳化硅二極管最小包裝：6/托盤(pán) 參數(shù)1：IF:100A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.3V 參數(shù)4：IR:5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該碳化硅二極管額定持續(xù)正向電流為100A，反向重復(fù)峰值電壓達(dá)650V，適用于中高壓直流系統(tǒng)。其正向?qū)▔航祪H為1.3V，在同類(lèi)器件中具有較低的導(dǎo)通損耗，有助于提升能效。反向漏電流低至5μA，表現(xiàn)出優(yōu)異的阻斷性能和熱穩(wěn)定性。器件可承受750A的非重復(fù)浪涌電流，具備較強(qiáng)的瞬態(tài)耐受能力。基于碳化硅材料的高速開(kāi)關(guān)特性，該二極管可有效減少開(kāi)關(guān)損耗，適用于高頻功率變換拓?fù)洌绺咝д麟娐贰⒋蠊β孰娫茨K及高密度能量轉(zhuǎn)換裝置，支持系統(tǒng)向小型化與高效化發(fā)展。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

C3D100065B_module-B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：module-B 類(lèi)別：碳化硅二極管 最小包裝：6/托盤(pán) 參數(shù)1：IF:100A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.3V 參數(shù)4：IR:5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：module-B 類(lèi)別：碳化硅二極管最小包裝：6/托盤(pán) 參數(shù)1：IF:100A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.3V 參數(shù)4：IR:5uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)