IPP60R250CP-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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本款N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源耐壓（VDSS）和20A的連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDS(on)）低至165mΩ，有助于減少導通損耗并提升能效。柵源電壓范圍為-10V至@5V，確保器件在驅動下的穩定性和可靠性。依托碳化硅材料的高臨界電場與高熱導率特性，該器件具備優異的高頻開關性能、高溫工作能力及較低的開關損耗，適用于高功率密度電源系統，如高效直流變換器、大功率開關電源模塊、可再生能源發電逆變設備以及儲能系統的功率轉換單元。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPP60R250CP-HXY_TO-220C_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220C 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數1：ID:20A 參數2：VDSS:800V 參數3：RDON:165mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢