IPWS65R022CFD7AXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)108A，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至20mΩ，柵源電壓范圍（VGS）為-10V至@5V。憑借碳化硅材料的特性，器件在高電壓和大電流條件下仍能保持較低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗，適用于高效率、高頻率的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、服務(wù)器電源、可再生能源發(fā)電設(shè)備以及對熱管理要求嚴(yán)苛的功率電子應(yīng)用。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

IPWS65R022CFD7AXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:108A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢