SIHK050N65E-T1-GE3-HXY_TOLLS_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤參數1：ID:63A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具備63A的連續漏極電流能力與650V的漏源擊穿電壓，導通電阻典型值為58mΩ，在柵源電壓范圍-10V至@5V內穩定工作。器件采用碳化硅材料，具有優異的高溫性能和開關特性，適用于高效率、高頻率的電力轉換場景。其低導通損耗和快速開關能力有助于提升系統整體能效，適合用于對功率密度和熱管理有較高要求的電源拓撲結構中。

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深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLLS 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤參數1：ID:63A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:58mR 參數4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢