SIR662DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:125A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道場效應管（MOSFET）具備125A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為2.4毫歐。低導通電阻有效減少導通損耗，提升整體能效，同時高電流能力支持大功率運行需求。其電氣特性適用于對熱管理和效率有較高要求的電源系統，如開關電源、電機控制單元及高密度功率模塊等應用場景。

企業(yè)聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
聯系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

SIR662DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:125A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤參數1：ID:125A 參數2：VDSS:60V 參數3：RDON:2.4mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢