DSTF20150CR-HXY_TO-220F_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：肖特基二極管最小包裝：50/管裝參數(shù)1：IF:20A 參數(shù)2：VR:150V 參數(shù)3：VF:1.1V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該肖特基二極管采用1對(duì)共陰極配置，額定正向電流（IF）為20A，最大反向電壓（VR）達(dá)150V。其正向壓降（VF）典型值為1.1V，在較高耐壓下仍保持合理的導(dǎo)通特性；反向漏電流（IR）為100μA，表現(xiàn)出穩(wěn)定的反向阻斷能力。器件可承受高達(dá)175A的非重復(fù)峰值正向浪涌電流（IFSM），適用于高可靠性電源整流、多路輸出拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)以及對(duì)瞬態(tài)電流耐受性要求較高的電子設(shè)備中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

DSTF20150CR-HXY_TO-220F_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：肖特基二極管 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：IF:20A 參數(shù)2：VR:150V 參數(shù)3：VF:1.1V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：肖特基二極管最小包裝：50/管裝參數(shù)1：IF:20A 參數(shù)2：VR:150V 參數(shù)3：VF:1.1V 參數(shù)4：IR:100uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢