SI4420BDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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該N溝道MOSFET具有15A的連續(xù)漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻為7.5毫歐。其適中的電流承載能力和較低的導(dǎo)通損耗，使其適用于中等功率的開關(guān)應(yīng)用。在需要高效能與緊湊布局的電子系統(tǒng)中，如便攜式設(shè)備電源管理、小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)及直流-直流轉(zhuǎn)換電路中，能夠提供穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014

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SI4420BDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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