STW68N65DM6-4AG-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET額定漏極電流為55A，漏源電壓耐受能力達(dá)650V，導(dǎo)通電阻典型值為45mΩ，柵源驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，在高頻開關(guān)條件下展現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)通與開關(guān)性能，同時(shí)具備較低的功率損耗和良好的熱穩(wěn)定性。適用于對(duì)效率、響應(yīng)速度及緊湊布局有明確要求的電源轉(zhuǎn)換與電力電子系統(tǒng)。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

STW68N65DM6-4AG-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:55A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢