VSMBR3045CT-M3-HXY_TO-220C_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類(lèi)別：肖特基二極管最小包裝：50/管裝參數(shù)1：IF:30A 參數(shù)2：VR:45V 參數(shù)3：VF:0.48V 參數(shù)4：IR:40uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

該肖特基二極管采用1對(duì)共陰極結(jié)構(gòu)，額定正向電流為30A，最大反向電壓為45V。其正向壓降低至0.48V，有助于減少導(dǎo)通過(guò)程中的能量損耗；在反向偏置條件下，漏電流僅為40μA，表現(xiàn)出良好的反向阻斷特性。器件可承受高達(dá)280A的非重復(fù)峰值正向浪涌電流（IFSM），適用于高頻整流、開(kāi)關(guān)電源以及對(duì)效率和熱性能有較高要求的電子設(shè)備中。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

VSMBR3045CT-M3-HXY_TO-220C_肖特基二極管_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類(lèi)別：肖特基二極管 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：IF:30A 參數(shù)2：VR:45V 參數(shù)3：VF:0.48V 參數(shù)4：IR:40uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220C 類(lèi)別：肖特基二極管最小包裝：50/管裝參數(shù)1：IF:30A 參數(shù)2：VR:45V 參數(shù)3：VF:0.48V 參數(shù)4：IR:40uA 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢