NVH4L110N65S3F-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET具備36A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為650V，導通電阻典型值為75mΩ，在柵源電壓范圍-8V至@0V內穩定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高頻開關應用中表現出較低的導通與開關損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換系統。其電氣參數組合使其能夠在高電壓、中等電流條件下維持良好的性能穩定性，適合用于各類高效能電力電子裝置中的開關功能實現。

企業聯系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業

聯系人：張婉儀
聯系電話：18929373249
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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：VGS:-8/+20V 標價：歡迎咨詢

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