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SIHG110N65SF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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產品介紹

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該N溝道碳化硅MOSFET的額定漏極電流為32A，漏源擊穿電壓為650V，導通電阻為94mΩ，柵源電壓工作范圍為-10V至@5V。器件基于碳化硅工藝，在高頻開關條件下具有較低的導通與開關損耗，同時具備良好的熱導性能和穩(wěn)定性。適用于高效率電源、服務器供電系統(tǒng)、光伏逆變器及儲能設備中的功率轉換環(huán)節(jié)，可在緊湊空間內實現(xiàn)可靠的電氣性能。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:94mR 參數(shù)4：VGS:-10/+25V 標價：歡迎咨詢

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